2018年7月20日至21日，由武汉东湖新技术开发区管理委员会指导，武汉光电国家研究中心、湖北省半导体行业协会和百易传媒（DOIT）联合主办，中国计算机学会信息存储专委会、武汉光电工业技术研究院协办的“2018全球存储半导体大会暨全球闪存技术峰会”在武汉光谷科技会展中心圆满落幕。本次峰会围绕着存储介质设计与制造、SSD设计与控制器、闪存可靠性与测试技术、闪存存储系统以及新一代存储器技术、闪存应用趋势等热点话题，汇聚50余家从事闪存存储领域的产、学、研机构。

    7月21日上午，由武汉光电国家研究中心主办的闪存可靠性与测试技术论坛，来自美国新罕布什尔大学交互性测试实验室（InterOperability Laboratory, University of New Hampshire）的David Woolf、山东大学陈杰智教授、国家计算机质检中心存储测评实验室阳小珊主任、台湾TruskTek公司CEO 蒋伸億先生、Memblaze公司首席架构师孙清涛博士、紫光得瑞公司固件经理孙丽华等6位专家为参会人员带来了精彩报告。国际存储联盟SNIA（Storage Networking Information Association）的倡议小组（Solid Sate Storage Initiative，简称SSSI）与技术团体（Technical Working Group，简称SSS TWG）主席Edin Kim亲临论坛会场，并参与讨论。

    论坛主席吴非首先介绍了闪存可靠性和测试技术对闪存产业链发展的重要性，并对参会嘉宾和观众表示诚挚的谢意，随后论坛演讲拉开序幕。

山东大学闪存存储器可靠性技术专家陈杰智教授从三维闪存存储器的基础研发到产品可靠性设计，综合阐述了三维存储器从材料工艺到器件电路再到顶层集成系统的可靠性核心问题。由于三维闪存存储器的特殊结构和制备工艺，其可靠性问题与传统的二维闪存存储器有着很大不同，我们需要从存储单元材料缺陷的可靠性物理机制和周边电路的可靠性特性来综合设计具有高可靠性的存储器芯片系统。

国家计算机质检中心存储测评实验室主任阳小珊博士针对闪存的质量特性和测试与评价做了专题报告，重点讲述了测试对存储产业发展的作用和影响，介绍了我国存储的测试需求和国内外的存储测试的标准化现状，同时介绍了由国家计算机质检中心和华中科技大学等单位联合编写的国家标准《GB/T 36355-2018 信息技术 固态盘测试方法》，然后提出了闪存产品的质量特性及测试与评价指标，对其中重要的测评指标如MTBF等阐述了测评方法。阳主任最后希望我国从事闪存产业的各单位更加重视产品质量，希望产学研用单位一起建立并完善我国的存储产业链，研发和制造出优质的闪存产品。

美国新罕布什尔大学交互性测试实验室David Woolf首先阐述了NVMe SSD的协议一致性和交互性测试方法，详述了目前国内外NVMe SSD产品在接口协议覆盖性、一致性以及兼容性上存在的问题，以及IOL实验室主要能解决的问题。 当前IOL实验室拥有国内外200余家会员，包括苹果、IBM、DELL、华为、浪潮等国内外知名企业，为这些产品高效的在数据中心使用奠定了基础。

Memblaze公司首席架构师孙清涛博士主要从SSD工程化角度阐述了NAND测试和特性验证的重要性。以PBlaze5产品为例，从产品的立项阶段、架构设计阶段和生产测试阶段，分别介绍了NAND特性验证的价值和方法。提出了一种在线 监控、离线学习的NAND属性分析方法，并将该方法和理念融合到固件架构设计、产品生产测试的软硬件协同设计之中，经验证，该方法行之有效。

紫光得瑞公司固件经理孙丽华先生从闪存控制器设计的角度，提出一种可编程闪存仿真系统，该系统可快速全面地验证控制器设计中存在的可靠性和性能瓶颈问题，有效的缩短芯片设计周期，提供了一种芯片正确性的验证方法。 同时，结合人工智能AI技术， 提出了一种基于深度学习的位翻转发生器方法。

作为存储行业的老兵，孙丽华先生指出目前国内闪存芯片和控制器芯片的设计和制造水平较以前有了显著提高，中国应该抓住这次存储升级的机会，实现弯道超车，逐步摆脱对国外存储大厂的依赖，这对实现中国制造2025具有重大的现实意义。

台湾TruskTek公司CEO 蒋伸億先生针对数据中心及云计算的应用服务器负载多样性，阐述了一种数据抓取工具Calypso IO Profiler，可有效的抓取数据中心读写负载(Real World WorkLoad)的特征，用户可对负载特征进行分析以及生成测试脚本，为SSD优化提供理论依据。

本次论坛分别从学术界、评测机构、被评厂商的角度，对闪存可靠性和测试技术重要性、测试方法、优化方法进行了深入的阐述和分析，受到了与会者的一致好评，参会人员和演讲嘉宾进行了充分的交流和互动，为闪存全产业链的构建奠定了基础。