信息存储系统教育部重点实验室

博士生徐洁的论文被会议ICCD 2017录用


实验室博士生徐洁的论文“Improving Performance of TLC RRAM with Compression-Ratio-Aware Data Encoding”被第35届国际计算机设计会议(The 35th IEEE International Conference on Computer Design,ICCD 2017)作为长文全文录用。

阻变存储器(Resistive RAM,RRAM)因为其很好的扩展性、低的静态功耗和非易失性,可能替代传统的DRAM作为非易失内存。三层结构(Triple-Level Cell, TLC)的RRAM相比单层结构(Single-Level Cell,SLC)的RRAM,具有更大容量的优势。但是,TLC RRAM较高的写延迟、写能耗限制了它的应用。一些数据编码技术通过使用TLC RRAM中较低能耗、低延迟的阻值状态存储数据来提升TLC RRAM的写性能。但是编码技术会导致不可忽略的空间开销。

博士生徐洁在冯丹教授和华宇教授的指导下,提出了一种压缩率感知的数据编码方式,叫做CRADE。CRADE首先将缓存行进行压缩,然后利用压缩节省出来的空间进行编码。我们发现不同的编码技术在空间开销,写能耗、写延迟存在不同的折衷。另一方面,不同的缓存行具有不同的压缩率。为了充分利用压缩节省出来的空间提升TLC RRAM的写性能,在不超过缓存行大小的情况下,CRADE使用性能最好的编码方式。通过实验分析,与最新的方法相比,CRADE可以减少15%的写能耗,降低19%和4%的写延迟和读延迟,提升2%的IPC性能,同时具有很小的空间开销。

ICCD国际计算机设计大会是计算机设计的首要会议之一,本届ICCD共收录长文75篇,短文35篇。

注:本文为原创,如转载请注明出处。

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