2018年7月20日至21日，由武汉东湖新技术开发区管理委员会指导，百易传媒（DOIT）、武汉光电国家研究中心（信息存储系统教育部重点实验室）和湖北省半导体行业协会联合主办，中国计算机学会信息存储专委会、武汉光电工业技术研究院协办的首届“2018全球存储半导体大会暨全球闪存技术峰会”在中国武汉光谷科技会展中心举办。全球近50家闪存产业链上下游领导厂商集中亮相，会议首先从中科院刘明院士的“半导体发展态势与机遇”报告开始，随后美国加州大学圣塔芭芭拉分校谢源教授分享了“人工智能时代的存储架构创新”，两天会议有近百位产业领袖和技术专家带来近百场前瞻演讲，与会人员超过1000人。7月21日上午，以武汉光电国家研究中心为主举办了新一代存储器技术及应用论坛（胡燏翀老师任论坛主席）、闪存可靠性与测试技术论坛（吴非老师任论坛主席），分享和探讨了有关闪存技术最前沿、最有发展前景的技术话题。

    新一代存储器技术及应用论坛论坛的第一个环节是由美国罗德岛大学杨庆教授，美国得克萨斯大学艾灵顿分校江泓教授，美国杜克大学陈怡然副教授，清华大学舒继武教授，国防科技大学方粮教授，和华中科技大学冯丹教授给大家分享了六场精彩纷呈的报告。

大会现场

美国罗德岛大学杨庆教授介绍了在推动数据存储单元发展方面的最新工作：DPU让储存更智能。肯定了GPU在计算机上起着革命性的作用，提出了大数据的存储控制已走到历史发展新一步。

杨庆教授报告

美国得克萨斯大学艾灵顿分校江泓教授针对普通用户对性能感知低于厂家给出的性能指标的问题，提出了“基于闪存和磁盘阵列的软件/硬件的协同设计”的思想，充分挖掘存储介质的潜力：把应用的特点和硬件的特性协调起来，走“农村包围城市”的创新型道路。

江泓教授报告

    美国杜克大学陈怡然副教授针对冯诺依曼体系中CPU和内存增长速度的不匹配的问题，介绍了“新兴存储器件在神经拟态计算中的应用”，证实了新兴的存储器在下一代存储和计算中的巨大潜力。

陈怡然副教授报告

清华大学舒继武教授给出了一种新型的Open-Channel SSD模型，详细介绍了介绍 Open-Channel SSD 和传统SSD的对比，以及它在当前系统软件上的一些应用，提出了“闪存存储系统重构与系统设计”的思想，为SSD提供更好的灵活性和可靠性。

舒继武教授报告

国防科技大学计算机学院方粮教授做了技术演讲，分享了主存系统的挑战和机遇，主存系统的发展趋势，明确提出现在主存系统是挑战与机遇并存。

方粮教授报告

华中科技大学冯丹教授针对NVM性能和能耗问题，介绍了“面向下一代NVM的高效能优化方法”，提出了克服RRAM非理想因素的优化方法和低能耗互补的阻变单元模式可重配方法，从而有效地降低了NVM能耗。

冯丹教授报告

本论坛的第二个环节是针对下一代存储器的发展趋势进行圆桌会议，介绍观点，在回答观众的问题的同时，展开深入和广泛的讨论。圆桌会议除了以上六位报告人以外，还邀请了中电海康刘波教授、上海交通大学陈海波教授和美国缅因大学朱一锋教授等专家，通过大家的思想碰撞来共同探讨新型存储发展趋势、重新思考存储与计算间的协同问题、以及如何构建以闪存为代表的半导体存储的产学研应生态环境等问题。专家与观众互动热烈并引起强烈的共鸣。

圆桌会议

   本论坛报告内容丰富,参与人数众多,讨论气氛热烈，针对新一代存储器技术及应用的技术热点和行业发展，进行全面分析与解读，取得了圆满成功。